某元器件客戶，2017年成立于上海，作為一家碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商，主要產(chǎn)品包含碳化硅功率器件、功率模塊、驅(qū)動(dòng)和控制芯片。在我國(guó)的6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺(tái)的技術(shù)方面較為領(lǐng)先。

最大可測(cè)試電阻為2*1019Ω，測(cè)試電壓可在0.1V～1000V內(nèi)進(jìn)行設(shè)置（100V以內(nèi)最小設(shè)置單位為0.1V，100V以上最小設(shè)置單位為1V），最快6.4ms的高速測(cè)量。可測(cè)試參數(shù)包括電流（可作為皮安表使用）、電阻、表面電阻率、體積電阻率、液體電阻等等。

由于該芯片為車規(guī)級(jí)，需確保高溫下的工作及絕緣能力，因此需要的測(cè)試被該芯片在3種溫度環(huán)境下的性能，分別為室溫（約25℃）、125℃、150℃。根據(jù)客戶的要求，將芯片放置于專用工裝①上，實(shí)現(xiàn)兩側(cè)引腳分別短接的狀態(tài)后進(jìn)行測(cè)試。

①客戶用于固定測(cè)試治具的電路板絕緣電阻大于被測(cè)物絕緣電阻，因此該測(cè)試工裝不會(huì)對(duì)測(cè)試結(jié)果產(chǎn)生影響。

室溫下的測(cè)試數(shù)據(jù)

高溫下的測(cè)試數(shù)據(jù)

*當(dāng)實(shí)際電阻高于GΩ（9次方級(jí)）時(shí)，電流已處于μA級(jí)別，此時(shí)微小的電流變化將會(huì)對(duì)測(cè)試得到的電阻值造成明顯影響，故此時(shí)將絕緣電阻的次方級(jí)數(shù)作為主要評(píng)估參數(shù)。 

關(guān)于VDE

VDE全稱即德國(guó)電氣工程師協(xié)會(huì)（Verband Deutscher Elektrotechniker），VDE檢測(cè)認(rèn)證研究所是其下的一個(gè)研究所。VDE標(biāo)記是目前世界上最著名的安全標(biāo)記之一，VDE標(biāo)志在世界范圍內(nèi)對(duì)于電子產(chǎn)品來(lái)說(shuō)都代表著保護(hù)和安全性。

作為歐洲最有測(cè)試經(jīng)驗(yàn)的試驗(yàn)認(rèn)證和檢查機(jī)構(gòu)之一，VDE同時(shí)也直接參與德國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的制定。VDE研究所通過(guò)對(duì)電氣產(chǎn)品的整體、中立和自主測(cè)試，致力于其安全性、電磁兼容性和操作性能。此外，其也為制造商在其產(chǎn)品質(zhì)量上的投資提供支持服務(wù)。

日置的高阻計(jì)產(chǎn)品線

最大可測(cè)試電阻為2*1019Ω，測(cè)試電壓范圍0.1～1000V，最快6.4ms的高速測(cè)量。

最大可測(cè)試電阻為2*1019Ω，測(cè)試電壓范圍0.1～2000V，最快6.4ms的高速測(cè)量。

4通道微小電流測(cè)試專用設(shè)備，最小量程20pA（分辨率0.1fA），最快6.4ms的高速測(cè)量。

高阻計(jì)SM系列的各種配件

根據(jù)不同被測(cè)物需求，日置為高阻計(jì)研發(fā)了多種配件以及測(cè)試治具，常用有電磁絕緣功能的屏蔽箱SME-8350，液體測(cè)試用電極SME-8330、平板測(cè)試用電極SME-8310（常用于平面材料的測(cè)試表面/體積電阻率測(cè)量）等等。此外還有插片式電容測(cè)試用電極、表面阻抗測(cè)量用電極、表面電阻測(cè)試用電極。

*使用上述配件時(shí)，需要搭配接線盒Z5010轉(zhuǎn)接使用。